次世代半導体の国産化を目指すラピダス（東京）は4日、半導体を最終製品に仕上げる「後工程」分野の技術開発について、米IBMと提携したと発表した。最先端の回路線幅2ナノメートル（ナノは10億分の1）半導体の量産に向け、準備を加速させる。

　両社は既に先端半導体の共同開発など「前工程」分野で提携している。ラピダスは複数の半導体チップを組み合わせる技術「チップレット」などを確立し、前工程から後工程まで一貫して手掛けることで納期短縮につなげたい考えだ。

　半導体は回路線幅が微細になるほど高性能だが、物理的な限界も指摘されている。このため、後工程の重要性が高まっており、世界的に技術開発競争が激化している。

　ラピダスは政府の支援を受け、千歳市に先端半導体の工場を建設中で、2025年4月には試作ラインの稼働を予定。27年の量産開始を目指している。